Geht es um digitalen Speicher, kocht so mancher Hersteller sein eigenes Süppchen. Kein Wunder, wollen die Unternehmen doch immer ein kleines bisschen mehr bieten als der Rest. Unterschiedliche Standards sorgen aber eher für Verwirrung und benötigen eine aufwendige, individuelle Entwicklung. Mit dem Universal Flash Storage (UFS) soll sich das ändern. Mittlerweile gibt es den in der dritten Generation. Was genau der Speicher kann, wo er zum Einsatz kommt und wo die Unterschiede zu anderen Speicherarten liegen, erfährst du hier.
Wie oben schon beschrieben, steht die Abkürzung UFS für „Universal Flash Storage“ – also zu deutsch „universeller Flash-Speicher“. Grundsätzlich kommt Flash-Speicher heute in zahlreichen Systemen zum Einsatz. Die Technik beschreibt digitale Speicherbausteine, die eine nichtflüchtige Speicherung ermöglichen. Was zunächst kompliziert klingt, ist relativ einfach erklärt. Ein digitaler Speicher sichert Daten nicht abtastbar, etwa in Form einer Diskette oder CD, sondern in Zahlenreihen. „Nichtflüchtig“ bedeutet, dass die Daten auch dann erhalten bleiben, wenn das damit ausgestattete Gerät nicht in Betrieb oder mit Strom versorgt ist. Ein gutes Beispiel für solchen Speicher ist etwa ein USB-Stick, der ja schließlich auch ohne Anschluss an einen Rechner, das Stromnetz und ohne eine Batterie deine Daten digital sichert.
Flash-Speicher ist allerdings nicht gleich Flash-Speicher, denn es gibt unterschiedlichste Bauarten und Standards. Genau solche Unterschiede sind in der Technik-Welt aber immer wieder ein Problem. In erster Linie geht es dabei um die Entwicklung. Forschen mehrere Hersteller an der Verbesserung unterschiedlicher Technologien, sorgt das am Ende für einen langsameren Fortschritt und hohe individuelle Kosten. Deshalb streben große Unternehmen nicht selten gemeinsame Standards an. Hier teilen sie sich die Kosten und kommen durch die gesammelte Expertise auch schneller voran. Aus diesem Gedanken entstand schließlich auch UFS: Unter der Leitung der JEDEC Solid State Technology Association, früher „Joint Electron Device Engineering Council“, schlossen sich Nokia, Micron Technology, Samsung, Sony Ericsson, Spansion, STMicroeletronics und Texas Instruments zusammen, um einen universellen Standard zu entwickeln.
Bereits im Jahr 2011 entstand dessen erste marktreife Version. Zunächst ging es nur um den Speicher selbst, der fest verbaut vor allem in Mobilgeräten wie Smartphones, Tablets, Notebooks, Digitalkameras und mehr zum Einsatz kommt. Fünf Jahre später erreichte auch eine Speicherkarte den Markt. Sie ähnelt einer microSD-Karte, mit Auskerbungen in Formen einer Haiflosse und eines Buckels. Den Durchbruch haben die UFS-Speicherkarten, zumindest außerhalb des Samsung-Kosmos, aber bisher noch nicht so richtig geschafft.
Eine immer größere Rolle spielt UFS als integrierter Speicher „embedded UFS“ (eUFS). Gerade Smartphones sollen davon profitieren. Denn: UFS ermöglicht gleichzeitiges Lesen und Schreiben von Daten mit hohen Geschwindigkeiten bei geringem Energieverbrauch. Die Spezifikationen der dritten Generation, also Version UFS 3.0, hat JEDEC Anfang 2018 veröffentlicht. Demnach soll der Standard in erster Linie höhere Datenraten von bis zu 11,6 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) erreichen. Umgerechnet sind das 1.450 Megabyte pro Sekunde (MB/s). Das gelingt etwa durch die Integration einer Schnittstelle der Mobile Industry Processor Inferface Alliance (MIPI). In der Praxis schafft der Speicher solche Werte aber nur beim Lesen. Im Schreib-Modus kommt beispielsweise der eUFS-Speicher von Samsung auf rund 410 MB/s. Viele weitere Verbesserungen sollen hingegen dafür sorgen, dass der UFS 3.0 noch universeller kompatibel ist und etwa besser mit unterschiedlichen Temperaturen umgehen kann.
Die Version 3.1 ist eine erste Verbesserung der aktuellen Generation. Sie steht seit Anfang 2020 zur Verfügung und bringt drei grundlegende Neuerungen mit:
Write Booster: Dahinter steckt eine Technik, die etwa auch bei SSDs zum Einsatz kommt. Sie ermöglicht in der Theorie eine zeitweilige Erhöhung der Datenrate.
DeepSleep: Ein Energiesparmodus, der gerade Geräten helfen soll, in denen sich der Speicher die Energiezufuhr mit vielen anderen Komponenten teilen muss.
Performance Throttling Notification: Der Speicher kann melden, wenn die Geschwindigkeit durch zu hohe Temperaturen gedrosselt ist.
Natürlich klingt gerade die erhöhte Geschwindigkeit durch den Write Booster bei UFS 3.1 interessant. Details dazu hat JEDEC allerdings nicht genannt. Welchen Schub die Technik der Performance verleihen kann, zeigte dann erst Samsung. Das Unternehmen stellte im März 2020 seinen eUFS-Speicher der Version 3.1 vor. Der kommt mit dem Write Booster auf bis zu 1.200 MB/s beim Schreiben. Das entspricht in etwa der dreifachen Geschwindigkeit von eUFS 3.0.
UFS ist gerade für Geräte interessant, die Speicher mit einer geringen Baugröße, möglichst hohen Geschwindigkeiten und einem niedrigen Verbrauch benötigen. Da verwundert es kaum, dass er bevorzugt in Smartphones Anwendung findet. Das erste mit der Technik ausgestattete Gerät dieser Art war das Samsung Galaxy S6. Seitdem setzt Samsung auf UFS und verbaut die aktuelle Version auch in seiner S21-Reihe. Auch OnePlus verwendet den Speicher in seinen Handys, angefangen mit den Geräten OnePlus 7 und OnePlus 7 Pro.
UFS-Speicherkarten lassen sich etwa in manchen Notebooks von Samsung nutzen und erweitern so den internen Speicher. Experten spekulierten vor der Vorstellung der S21-Reihe, dass diese Möglichkeit vielleicht auch dort bestehen könnte. Doch das Galaxy S21, S21 Plus und S21 Ultra verzichten sogar komplett auf einen Slot für Speicherkarten.
Aktuell existieren, gerade auf dem Smartphone-Markt, drei konkurrierende Arten von internen Speicher-Standards. Da wäre eUFS 3.1, die „embedded MultiMedia Card“ (eMMC) 5.1 und „Non-Volatile Memory Express“ (NVMe). Zwar gibt es auf dem Markt unzählige Geräte, allerdings lässt sich die Verteilung grob wie folgt erklären:
- eUFS 3.1 nutzen in erster Linie aktuelle Smartphones von Samsung und OnePlus,
- eMMC 5.1 nutzen sehr viele Smartphones, gerade der niedrigen und mittleren Preisklasse,
- NVMe nutzen die iPhones von Apple.
Natürlich findest du UFS auch in Laptops, Tablets und mehr. NVMe ist heute auch häufig in Laptops und Rechnern verbaut oder nachrüstbar. Die beste Vergleichbarkeit lässt sich aber eben über Smartphones herstellen. Für dich dürfte die Performance eine große Rolle spielen. Genau hier sind auch teils große Unterschiede zu erkennen:
Speicher | UFS 3.1 | eMMC 5.1 | NVMe |
---|---|---|---|
Kommunikation | Schreiben und lesen (gleichzeitig) | Schreiben oder lesen (abwechselnd) | Schreiben und lesen (gleichzeitig) |
Sequentielles Lesen | 2.100 MB/s | 250 MB/s | 2.150 MB/s |
Sequentielles Schreiben | 1.200 MB/s | 125 MB/s | 1.550 MB/s |
Zufälliges Lesen | 100.000 IOPS | 11.000 IOPS | 300.000 IOPS |
Zufälliges Schreiben | 70.000 IOPS | 13.000 IOPS | 100.000 IOPS |
IOPS = Ein- und Ausgabeoperationen pro Sekunde. Das ist ein Standard-Messwert dafür, wie schnell ein Speicher gemischte Aufgaben (zufälliges Lesen/Schreiben) verrichtet.
Bedenke bei der Tabelle oben jedoch, dass sich die Werte für NVMe auf einen entsprechenden Speicher von Samsung mit 512 GB Kapazität beziehen. Apple gibt die genauen Werte für seine Smartphones nicht an.
Bei Speicher braucht es schnelle Fortschritte, um die immer komplexeren Aufgaben in kurzer Zeit bewältigen zu können. Obwohl UFS 3.0 noch nicht wirklich alt ist, dürften die Unternehmen im Hintergrund bereits an UFS 4.0 arbeiten. Voraussichtlich im Jahr 2022 soll die neue Version zur Verfügung stehen. Durch das Implementieren von neuen Technologien könnten Effizienz und Langlebigkeit wieder einen Sprung nach vorne machen. Im Fokus stehen aber natürlich höhere Geschwindigkeiten. Gerüchten zufolge springt die Datenrate sogar auf maximal 4.800 MB/s. Die tatsächlichen Spezifikationen gilt es allerdings noch abzuwarten.
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